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NTMD6N02R2G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMD6N02R2G product

NTMD6N02R2G

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalEnergiemanagement

Der NTMD6N02R2G ist ein dualer N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement in kompakten, batteriebetriebenen Geräten entwickelt wurde.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • DC-DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
20 V
ID
6.0 A
RDS(on)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

RSELS24003-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMD6N02R2G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOIC-8-Gehäuse, ausgelegt für 20V und 6A.