ProjektePreiseInsights

NTMFS4C302NT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMFS4C302NT1G product

NTMFS4C302NT1G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der NTMFS4C302NT1G ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET von onsemi, optimiert für Hochstromanwendungen im kompakten SO-8 FL-Gehäuse.

Ideal für

  • Netzteile
  • Motorsteuerung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von mehr als 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
230 A
RDS(on)
1,15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

NTMFS4C302N-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMFS4C302NT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel-Ansteuerung, der für geringe Leitungsverluste ausgelegt ist und eine Drain-Source-Spannung von 30V sowie einen Strom von 230A bietet.