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NTMFS4C55N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMFS4C55N-HXY product

NTMFS4C55N-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V150A

Der NTMFS4C55N ist ein N-Kanal-MOSFET für hohe Ströme (30V, 150A) im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei 150A Dauerstrom

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(ON)
2.4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

e1be1ee8faf896493741471d29170c46_2403261741_HXY-MOSFET-NTMFS4C55N-HXY_C22367228.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMFS4C55N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten mit niedrigem Einschaltwiderstand und geringer Gate-Ladung entwickelt wurde.