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NTMFS5C468NL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMFS5C468NL-HXY product

NTMFS5C468NL-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40VDFN5X6-8L

Der NTMFS5C468NL ist ein 40V, 55A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten in Batterie- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 40V erfordern oder extrem hohe Schaltfrequenzen ohne ausreichende Wärmeabfuhr.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und Anforderungen an die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
55 A
RDS(on)
< 8.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

97c72be127aaedfd960edf2d7193700a_2405211553_HXY-MOSFET-NTMFS5C468NL-HXY_C22366802.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMFS5C468NL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine Drain-Source-Spannung von 40V sowie einen kontinuierlichen Drain-Strom von 55A bietet.