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NTMS4177PR2G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTMS4177PR2G product

NTMS4177PR2G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VSOIC-8

Der NTMS4177PR2G ist ein -30V, -11.4A P-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOIC-8-Gehäuse, der für geringe Leitungs- und Schaltverluste in Computer- und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Energiemanagement in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
-30 V
Id (max)
-11.4 A
RDS(on) @ -10V
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

TA-267.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTMS4177PR2G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi, der für -30V und bis zu -11.4A ausgelegt ist und für effizientes Schalten entwickelt wurde.