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NTR1P02L-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTR1P02L-HXY product

NTR1P02L-HXY

MOSFETs

MOSFETP-KanalSOT-23

Der NTR1P02L ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Lastschalt- und PWM-Anwendungen bei niedrigen Spannungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hohen Spannungen oder Strömen über -20V oder -2.3A.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Verlustleistungsgrenzen.

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-2.3 A
RDS(on)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LastschalterPWM-Steuerung

Datenblatt

c768fbc670e6b9e92db81648abeca65e_2404231719_HXY-MOSFET-NTR1P02L-HXY_C22367178.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTR1P02L-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und Betrieb bei niedrigen Spannungen ausgelegt ist.