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NTR2101PT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTR2101PT1G product

NTR2101PT1G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Niederspannung

Der NTR2101PT1G ist ein kompakter P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Niederspannungs-High-Side-Schaltungen und DC-DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • High-Side-Lastschalter
  • DC-DC-Wandlung
  • Energiemanagement in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine höhere Sperrspannung als 8 V erfordern
  • Anwendungen mit Verlustleistungen über 0,96 W

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
-8,0 V
Id
-3,7 A
RDS(on) @ -4,5V
39 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

NTR2101P-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTR2101PT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Anwendungen mit niedriger Gate-Ansteuerspannung entwickelt wurde.