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NTR2101PT1G-MS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTR2101PT1G-MS product

NTR2101PT1G-MS

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench DMOS

Der NTR2101PT1G-MS ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriebetriebene Geräte
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Verlustleistung über 312mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-18 V
ID
-2.0 A
RDS(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

0e6250475fe8a45feec8727402884843_2212290930_MSKSEMI-NTR2101PT1G-MS_C5343312.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTR2101PT1G-MS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-DMOS-Technologie, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten ausgelegt ist.