ProjektePreiseInsights

NTR4502P-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTR4502P-HXY product

NTR4502P-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der NTR4502P ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 4,1 A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4,1 A
RDS(ON)
< 56 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a1caf772ecc7c44c279276b31483752f_2403261742_HXY-MOSFET-NTR4502P-HXY_C22367268.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTR4502P-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.