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NTTFD9D0N06HLTWG KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTTFD9D0N06HLTWG product

NTTFD9D0N06HLTWG

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal60V

Der NTTFD9D0N06HL ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler entwickelt wurde und eine 60V-Spannungsfestigkeit sowie einen niedrigen RDS(on) in einem kompakten WQFN12-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Point-of-Load (POL) Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem hohe Spannungsisolierung oder nicht standardmäßige Gate-Ansteuerungspegel erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazitäten des PCB-Layouts

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
38 A
RDS(on)
9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTTFD9D0N06HLTWG laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET in einem WQFN12-Gehäuse, der für synchrone Abwärtswandler optimiert ist.