ProjektePreiseInsights

NTTFS4C25N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NTTFS4C25N-HXY product

NTTFS4C25N-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der NTTFS4C25N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Spannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
35 A
RDS(on)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

efa11ff033c801b9b706b66ee2d424c9_2403261742_HXY-MOSFET-NTTFS4C25N-HXY_C22367280.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NTTFS4C25N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.