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NVBG020N120SC1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVBG020N120SC1 product

NVBG020N120SC1

MOSFETs - Single

SiC MOSFETAutomobil1200V

Der NVBG020N120SC1 ist ein 1200V, 20mΩ SiC-MOSFET im D2PAK-7L-Gehäuse, optimiert für die Leistungselektronik in Elektro- und Hybridfahrzeugen.

Ideal für

  • Automotive On-Board-Ladegeräte
  • DC-DC-Wandler für Elektrofahrzeuge

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die nur Niederspannungsbetrieb erfordern
  • Designs, bei denen das D2PAK-7L-Gehäuse nicht geeignet ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Spannungspegel der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDSS
1200 V
RDS(on)
20 mΩ
ID
98 A
QG(tot)
220 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilindustrieLeistungselektronik

Datenblatt

NVBG020N120SC1-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVBG020N120SC1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) mit einer Spannungsfestigkeit von 1200V und einem Strom von 98A, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeiten auszeichnet.