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NVD5117PLT4G-VF01 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVD5117PLT4G-VF01 product

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETAutomobilDPAK

Der NVD5117PLT4G-VF01 ist ein leistungsstarker P-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi, spezifiziert für -60V und -61A, optimiert für geringe Leitungsverluste in Automobil- und Industrieanwendungen.

Ideal für

  • Automobil-Energiemanagement
  • Industrielle Schaltanwendungen
  • Hochstrom-DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine N-Kanal-Polarität erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-61 A
RDS(on)
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

AutomobilEnergiemanagement

Datenblatt

NVD5117PL-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVD5117PLT4G-VF01 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen AEC-Q101-qualifizierten P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Anwendungen mit hohem Strombedarf, der in einem DPAK-Gehäuse untergebracht ist.