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NVD5863NL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVD5863NL-HXY product

NVD5863NL-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VTO-252

Der NVD5863NL ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für Hochstromschaltungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache Gehäuse oder nicht standardmäßige Gate-Spannungen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hohen Stromlasten.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
80 A
RDS(on)
6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

6d92a14faa19ac08cc1e7096746c821b_2403261739_HXY-MOSFET-NVD5863NL-HXY_C22366952.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVD5863NL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.