ProjektePreiseInsights

NVH4L070N120M3S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVH4L070N120M3S product

NVH4L070N120M3S

MOSFETs - Single

SiC MOSFETAutomobil1200V

Der NVH4L070N120M3S ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für automobile Leistungselektronik optimiert ist.

Ideal für

  • Automobile Leistungswandlung
  • Hocheffiziente DC-DC-Stufen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
1200 V
Einschaltwiderstand
65 mΩ
Dauerstrom
34 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilLeistungselektronik

Datenblatt

nvh4l070n120m3s-d.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVH4L070N120M3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen EliteSiC N-Kanal-MOSFET von onsemi mit 1200V und 34A, der speziell für automobile Anwendungen entwickelt wurde.