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NVJD4158CT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVJD4158CT1G product

NVJD4158CT1G

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärSC-88

Das NVJD4158C ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar im kompakten SC-88-Gehäuse, ideal für platzkritische Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen

Wichtige Specs

N-Kanal VDSS
30 V
P-Kanal VDSS
-20 V
Gehäuse
SC-88

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

NTJD4158C-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVJD4158CT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres MOSFET-Paar, das einen N-Kanal- und einen P-Kanal-Transistor in einem einzigen SC-88 (SOT-363) Gehäuse vereint.