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NVJS4151PT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVJS4151PT1G product

NVJS4151PT1G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSC-88AEC-Q101

Der NVJS4151PT1G ist ein kompakter, AEC-Q101-qualifizierter P-Kanal-MOSFET, der für tragbare High-Side-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • High-Side-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Industrielle Hochleistungsanwendungen über 1,2W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermomanagement auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
-20 V
Id
-4.1 A
RDS(on)
67 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Tragbare ElektronikLastschaltung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVJS4151PT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen -20V, -4.1A P-Kanal-Trench-MOSFET im SC-88-Gehäuse mit integriertem Gate-ESD-Schutz.