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NVMFS4C05NT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVMFS4C05NT1G product

NVMFS4C05NT1G

MOSFETs - Single

N-Kanal30VLeistungs-MOSFETAutomotive-Qualität

Der NVMFS4C05NT1G ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET, der für geringe Leitungs- und Schaltverluste in Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Automotive-Stromversorgungssysteme
  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von >30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
127 A
RDS(on)
2,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementAutomobilindustrie

Datenblatt

NVMFS4C05N-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVMFS4C05NT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hocheffizientes Energiemanagement mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauerstrom von 127A.