NVMFS4C310N-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

NVMFS4C310N-HXY product

Der NVMFS4C310N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Batteriemanagementsysteme
Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Schwellenspannungen unter 1V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen bei 80A

Wichtige Specs

VDS: 30 V
ID: 80 A
RDS(ON): 4,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVMFS4C310N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen mit einem niedrigen RDS(ON) von 4,7mΩ.