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NVMFS5C680NL-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVMFS5C680NL-HXY product

NVMFS5C680NL-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VDFN5X6

Der NVMFS5C680NL ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Gate-Ansteuerspannungen jenseits von ±20V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
30 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

db5c7ae9060467b0a88c007240ef503f_2403261738_HXY-MOSFET-NVMFS5C680NL-HXY_C22366853.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVMFS5C680NL-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand optimiert ist.