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NVTFS4C06N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVTFS4C06N-HXY product

NVTFS4C06N-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VDFN3X3-8L

Der NVTFS4C06N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
60 A
RDS(on)
5.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

8db46c1b6031ce79271b9e8bd72234d7_HXY MOSFET(华轩阳电子)&NVTFS4C06N-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVTFS4C06N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung nutzt.