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NVTFS4C25N-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NVTFS4C25N-HXY product

NVTFS4C25N-HXY

MOSFETs

MOSFETN-Kanal30VDFN3X3-8L

Der NVTFS4C25N ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Umgebungen mit Temperaturen über 175°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
35 A
RDS(ON)
< 10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

c2caec581dd443c006e2481042b07062_HXY MOSFET(华轩阳电子)&NVTFS4C25N-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NVTFS4C25N-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten und Schutzschaltungen entwickelt wurde.