ProjektePreiseInsights

NX1029XH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NX1029XH product

NX1029XH

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärSOT666N-KanalP-Kanal

Der NX1029XH ist ein komplementärer N/P-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT666-Gehäuse, ideal für platzsparende Schalt- und Pegelwandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Kompaktes Schalten
  • Pegelwandlung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit hohem Strombedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen im SOT666-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS (N/P)
60V / -50V
ID (N/P)
330mA / -170mA
Gehäuse
SOT666

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

NX1029X.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NX1029XH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N/P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET-Paar in einem einzigen SOT666-Oberflächenmontagegehäuse.