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NX3020NAKW,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NX3020NAKW,115 product

NX3020NAKW,115

FETs

N-KanalMOSFETTrenchSOT323

Der NX3020NAKW ist ein 30V, 180mA N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT323-Gehäuse, ideal für Low-Power-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Relaistreiber
  • Lastschaltung
  • Signalschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 180mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
180 mA
RDS(on)
4.5 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

SchaltenRelaistreiber

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NX3020NAKW,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der für oberflächenmontierte Anwendungen in einem kleinen SOT323-Gehäuse konzipiert ist.