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NX7002BKR-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NX7002BKR-ES product

NX7002BKR-ES

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der NX7002BKR-ES ist ein 60V N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Anwendungen mit geringer Leistung und DC-DC-Wandlung optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandlung mit geringer Leistung
  • Signalschaltung
  • Lastmanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 300mA
  • Hochtemperaturumgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
0,3 A
RDS(on)
1,85 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementAllgemeines Schalten

Datenblatt

1067645cb4637a5c1ceb4ecf6b491c3f_2210271630_ElecSuper-NX7002BKR-ES_C5224230.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NX7002BKR-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für niedrige Gate-Ladung und effizientes Schalten optimiert ist.