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NXV100XPR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

NXV100XPR product

NXV100XPR

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT23Trench

Der NXV100XPR ist ein 30V P-Kanal-Trench-MOSFET im SOT23-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Anwendungen mit geringer Leistung optimiert ist.

Ideal für

  • Relais-Treiber
  • High-Side-Lastschalter
  • Allgemeine Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Strombelastbarkeit von mehr als 1,5A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei Umgebungstemperaturen über 25°C

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-1,5 A
Rds(on)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

36b58e8b2f9952ee74a8478b182ca162_2308091748_Nexperia-NXV100XPR_C7250511.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für NXV100XPR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der NXV100XPR ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und in einem kompakten SOT23-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.