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OSD65R1K0 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

OSD65R1K0 product

OSD65R1K0

MOSFETs - Single

MOSFETSuper-Junction650VTO-252

Der OSD65R1K0 ist ein 650V, 4A N-Kanal Super-Junction MOSFET im TO-252 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromversorgungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 4A
  • Designs, bei denen ein extrem niedriger RDS(on) entscheidend ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
4 A
Rds(on)
1000 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenIndustrie

Datenblatt

f12f20904db602ffdd74c1aa481750bc_2401191741_OSEN-OSD65R1K0_C20607774.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSD65R1K0 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V Super-Junction Leistungs-MOSFET von OSEN, der für hocheffiziente Schaltnetzteile und Leistungsfaktorkorrektur (PFC) entwickelt wurde.