OSD8N65C Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | OSEN | PartGenie

KI-Zusammenfassung

OSD8N65C product

Der OSD8N65C ist ein 650V N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für hocheffiziente Netzteile und Beleuchtungsanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

Schaltnetzteile
Leistungsfaktorkorrektur
Elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand erfordern
Hochleistungsdesigns über 40W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss: 650 V
Id: 8 A
Rds(on): 1.05 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileBeleuchtung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSD8N65C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der OSD8N65C ist ein 650V N-Kanal-MOSFET von OSEN, der für hocheffiziente Schaltnetzteile und elektronische Vorschaltgeräte entwickelt wurde.