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OSH20N65C KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

OSH20N65C product

OSH20N65C

MOSFETs - Single

MOSFET650VLeistung

Der OSH20N65C ist ein 650V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3PNB-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteueranforderungen

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
20 A
Rds(on)
0,35 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Netzteile

Datenblatt

67eeb241866b4dcdd7a431bf8927af30_2401311442_OSEN-OSH20N65C_C20607790.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSH20N65C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal-MOSFET für hocheffiziente Schaltnetzteile und Leistungsfaktorkorrektur.