OSH25N60 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | OSEN | PartGenie

KI-Zusammenfassung

OSH25N60 product

Der OSH25N60 ist ein 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3PNB-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

Schaltnetzteile
Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen
Elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
Platzkritische Designs, bei denen TO-3PNB zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss: 600 V
Id: 25 A
Rds(on): 0,19 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSH25N60 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der OSH25N60 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET von OSEN, ausgelegt für 600V und 25A, optimiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.