ProjektePreiseInsights

OSH50N20 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

OSH50N20 product

OSH50N20

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistung

Der OSH50N20 ist ein 200V, 50A N-Kanal-MOSFET im TO-3PNB-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Netzteil-Design
  • PFC-Stufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Platzbedarf, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
50 A
Rds(on)
30 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenIndustrie

Datenblatt

09a69bf1eba617d3055c06b6d01481c1_2401311442_OSEN-OSH50N20_C20607794.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSH50N20 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen robusten N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 200V und einem Nennstrom von 50A.