OSH9N90 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | OSEN | PartGenie

KI-Zusammenfassung

OSH9N90 product

Der OSH9N90 ist ein 900V N-Kanal-MOSFET, der für Hochspannungs-Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Schaltnetzteile
Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

Niederspannungs-batteriebetriebene Anwendungen

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

Vdss: 900 V
Id: 9 A
Rds(on): 1 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSH9N90 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der OSH9N90 ist ein 900V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3PNB-Gehäuse, der für hocheffiziente Netzteile geeignet ist.