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OSP150N10G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

OSP150N10G product

OSP150N10G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VPower Trench

Der OSP150N10G ist ein 100V, 150A N-Kanal Power Trench MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandleranwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kühlkörperkompatibilität

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
150 A
Rds(on)
4.8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

49c0a5d934bdea0015d8eb7affe21fe6_2401311442_OSEN-OSP150N10G_C20607802.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSP150N10G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal Power Trench MOSFET für Hochleistungsanwendungen mit einer Durchbruchspannung von 100V und einer Strombelastbarkeit von 150A.