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OSP160N10G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

OSP160N10G product

OSP160N10G

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalPower Trench100V

Der OSP160N10G ist ein 100V, 160A N-Kanal-Power-Trench-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-220AB zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDSS
100 V
ID
160 A
RDS(on)
3,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

29f3fbc22ad4816cb992d31c7d7cc82a_2401311442_OSEN-OSP160N10G_C20607803.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSP160N10G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der OSP160N10G ist ein N-Kanal-Power-Trench-MOSFET von OSEN, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die effizientes Schalten und einen niedrigen Einschaltwiderstand erfordern.