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OSW150N06T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

OSW150N06T product

OSW150N06T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VPower Trench

Der OSW150N06T ist ein 60V, 150A N-Kanal-Leistungs-Trench-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Stromwandlung
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als TO-263 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
150 A
Rds(on)
2.6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromwandlung

Datenblatt

a6320ca7cf8c03248e80a797458ea8af_2401191742_OSEN-OSW150N06T_C20607865.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für OSW150N06T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-Trench-MOSFET für Hochleistungsanwendungen, der sich durch eine niedrige Gate-Ladung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten auszeichnet.