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PBSS4120T,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PBSS4120T,215 product

PBSS4120T,215

Transistors

NPNBISSSOT23Niedrige VCEsat

Der PBSS4120T ist ein hocheffizienter NPN-BISS-Transistor, der für das Energiemanagement und Schaltanwendungen bei niedrigen Spannungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandlung
  • Batterieladung
  • Niederspannungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VCEO
20 V
IC
1 A
VCEsat
250 mV @ 1A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PBSS4120T,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-BISS-Transistor von Nexperia, der für niedrige VCEsat-Werte und hohe Effizienz entwickelt wurde.