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PBSS4230T,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PBSS4230T,215 product

PBSS4230T,215

Discrete Semiconductor Products

NPNBISSSOT2330V2A

Der PBSS4230T ist ein leistungsstarker 30V, 2A NPN-BISS-Transistor, der für Anwendungen mit niedrigem Spannungsabfall und hohem Strom in einem kompakten SOT23-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • DC/DC-Wandlung
  • Ansteuerung induktiver Lasten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 30V erfordern oder extreme thermische Umgebungen ohne Kühlung.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen auf der Leiterplatte.

Wichtige Specs

VCEO
30 V
IC
2 A
VCEsat
320 mV (max) @ 2A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Treiber

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-12.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PBSS4230T,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-BISS-Transistor (Breakthrough in Small Signal), der für extrem niedrige VCEsat-Werte und hohe Strombelastbarkeit ausgelegt ist.