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PBSS4350T,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PBSS4350T,215 product

PBSS4350T,215

Bipolar (BJT)

NPNTransistorNiedrige SättigungsspannungSOT23

Der PBSS4350T ist ein 50V, 2A NPN-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung im SOT23-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • DC/DC-Wandler
  • Batterieladegeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerströmen deutlich über 2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kupferfläche auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
2 A
RCEsat
100 mΩ
Gehäuse
SOT23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandler

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-12.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PBSS4350T,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung (VCEsat), der für Anwendungen mit hohen Strömen in einem kompakten SOT23-Gehäuse entwickelt wurde.