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PBSS5230T,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PBSS5230T,215 product

PBSS5230T,215

Bipolar (BJT)

PNPNiedrige SättigungsspannungSOT23AEC-Q101

Der PBSS5230T ist ein leistungsstarker 30V, 2A PNP-Transistor, der für Anwendungen mit niedriger Sättigungsspannung im kompakten SOT23-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandlung
  • Versorgungsleitungsschaltung
  • Treiber für induktive Lasten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine hohe Verlustleistung jenseits der thermischen Grenzen des SOT23 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte
  • Pulsdauer für Spitzenstrom

Wichtige Specs

VCEO
-30 V
IC
-2 A
RCEsat
160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergieverwaltungAutomobil

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PBSS5230T,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung (VCEsat), der für hocheffiziente Schalt- und Treiberanwendungen in einem kleinen SOT23-Gehäuse entwickelt wurde.