ProjektePreiseInsights

PBSS8110T,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PBSS8110T,215 product

PBSS8110T,215

Interface

NPNNiedrige Sättigungsspannung100VSOT23

Der PBSS8110T ist ein leistungsstarker 100 V, 1 A NPN-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung im kompakten SOT23-Gehäuse, ideal für effiziente Schalt- und Treiberanwendungen.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • DC/DC-Wandlung
  • Treiber für induktive Lasten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die dauerhaft Ströme deutlich über 1 A ohne ausreichende Kühlung erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung der Leiterplatte und Dauer der Stromspitzen.

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
1 A
VCEsat
200 mV (max) bei 1 A
Gehäuse
SOT23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Treiber

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PBSS8110T,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung von Nexperia, der für hocheffizientes Schalten in kompakten SMD-Anwendungen entwickelt wurde.