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PBSS8110X,135 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PBSS8110X,135 product

PBSS8110X,135

Bipolar (BJT)

NPNBISSSOT89100V

Der PBSS8110X ist ein hocheffizienter 100V, 1A NPN-BISS-Transistor im SOT89-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit niedriger Sättigungsspannung.

Ideal für

  • Automotive 42V-Systeme
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Peripherietreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem kleine Gehäuse benötigen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
1 A
RCEsat
165 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Anwendung

AutomotiveIndustrie

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PBSS8110X,135 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-BISS-Transistor mit niedriger Sättigungsspannung für effiziente Schalt- und Treiberanwendungen.