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PDTB123YT,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTB123YT,215 product

PDTB123YT,215

Power Management (PMIC)

PNPRETSOT23Pre-biased

Der PDTB123YT ist ein 50V, 500mA PNP-Transistor mit integrierten Widerständen (RET) im SOT23-Gehäuse, optimiert für digitale Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • IC-Eingangssteuerung
  • Automobil- und Industriesegmente

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 500mA oder 50V

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Bias-Widerstände mit dem Steuersignal

Wichtige Specs

VCEO
-50 V
IO
-500 mA
R1
2.2 kΩ
R2
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

IndustrieAutomobil

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTB123YT,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (R1=2.2kΩ, R2=10kΩ), der das Schaltungsdesign durch Reduzierung der Bauteilanzahl vereinfacht.