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PDTC114ET,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTC114ET,215 product

PDTC114ET,215

Power Management (PMIC)

NPNPre-BiasedSOT23Automobil

Der PDTC114ET ist ein 50V, 100mA NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET) im SOT23-Gehäuse, ideal für digitales Schalten und IC-Eingangssteuerung.

Ideal für

  • Digitales Schalten
  • IC-Eingangssteuerung
  • Automobil-Digitalsegmente

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsverstärkung
  • Anwendungen, die eine hochpräzise analoge Verstärkung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

VCEO
50 V
Ausgangsstrom
100 mA
Bias-Widerstände
R1=10 kΩ, R2=10 kΩ
Gehäuse
SOT23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

AutomobilIndustrieAllgemeines Schalten

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-12.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTC114ET,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET) und 10 kΩ Bias-Widerständen, der zur Vereinfachung des digitalen Schaltungsdesigns entwickelt wurde.