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PDTC114ET-QR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTC114ET-QR product

PDTC114ET-QR

Bipolar (BJT)

NPNRETSOT23Automobil

Der PDTC114ET-Q ist ein 50V, 100mA NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET) im SOT23-Gehäuse, ideal für platzsparende digitale Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Digitale Automobilanwendungen
  • Industrielle Steuerung
  • Schalten von IC-Eingängen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA oder 250mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Bias-Widerstände mit Ihrem Steuersignal

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IO
100 mA
R1/R2
10 kΩ / 10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

AutomobilIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTC114ET-QR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (RET), der zur Vereinfachung digitaler Schaltungsdesigns durch Reduzierung der externen Bauteile dient.