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PDTC115ET,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTC115ET,215 product

PDTC115ET,215

Bipolar (BJT)

NPNWiderstandsbestücktSOT23

Der PDTC115ET ist ein NPN-Transistor mit integrierten 100 kΩ-Widerständen, der sich ideal für platzsparende Schalt- und Verstärkeranwendungen eignet.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Inverterschaltungen
  • Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 20 mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel für das Schalten

Wichtige Specs

Polarität
NPN
VCEO
50 V
IO
20 mA
R1/R2
100 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemeine SchaltanwendungenInverterschaltungen

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-12.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTC115ET,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der PDTC115ET ist ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (R1=100 kΩ, R2=100 kΩ), der das Schaltungsdesign vereinfacht.