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PDTC123JE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTC123JE product

PDTC123JE

Bipolar (BJT)

NPNDigitaltransistorPre-Biased

Der PDTC123JE ist ein NPN-Digitaltransistor mit integrierten Bias-Widerständen für platzsparende Inverter- und Treiberschaltungen.

Ideal für

  • Inverterschaltungen
  • Schnittstellenanwendungen
  • Treiberschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Verfügbarkeit aufgrund des Abkündigungsstatus prüfen

Wichtige Specs

R1
2,2 kΩ
R2/R1
21
Vcc
50 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

InverterSchnittstelleTreiber

Datenblatt

NEXP-S-A0002881986-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTC123JE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Dünnschicht-Bias-Widerständen (R1=2,2kΩ, R2=47kΩ), wodurch externe Eingangswiderstände entfallen.