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PDTC123YT,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTC123YT,215 product

PDTC123YT,215

Bipolar (BJT)

NPNRETSOT23Vorwiderstand

Der PDTC123YT ist ein NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET), R1=2,2kΩ und R2=10kΩ, im SOT23-Gehäuse.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Treiberstufen
  • Inverterschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 100mA oder 50V

Vor der Verwendung prüfen

  • Widerstandswerte für die spezifische Schaltung

Wichtige Specs

VCEO
50 V
Ausgangsstrom
100 mA
R1
2,2 kΩ
R2
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Allgemeines SchaltenTreiber

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTC123YT,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen, der das Schaltungsdesign vereinfacht, da externe Bauteile entfallen.