PDTC123YU,115 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Nexperia USA Inc. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

PDTC123YU,115 product

Der PDTC123YU ist ein kompakter NPN-Transistor mit integrierten Basiswiderständen (RET), der zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns und zur Reduzierung der Bauteilanzahl in Schalt- und Verstärkeranwendungen dient.

Ideal für

Allgemeine Schaltaufgaben
Signalverstärkung
Platzsparende Designs

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen über 200mW

Vor der Verwendung prüfen

Widerstandsverhältnisse für spezifische Eingangssignale

Wichtige Specs

VCEO: 50 V
IC: 100 mA
R1: 2,2 kΩ
R2: 10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: ROHS3 Compliant
REACH: REACH Unaffected
MSL: 1 (Unlimited)
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.21.0095

Anwendung

Allgemeines SchaltenTreiberstufen

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTC123YU,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (R1=2,2kΩ, R2=10kΩ) im SOT323-Gehäuse.