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PDTD123ET,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTD123ET,215 product

PDTD123ET,215

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNRETSOT2350V500mA

Der PDTD123ET ist ein NPN-Transistor mit integrierten Widerständen (RET), der für digitale Schaltanwendungen und IC-Eingangssteuerungen in der Automobil- und Industrieelektronik optimiert ist.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Automobilsteuerung
  • Industrielle Logik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Verlustleistung über 250 mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Vceo
50 V
Ic
500 mA
R1
2,2 kΩ
Gehäuse
SOT23

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilIndustrie

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTD123ET,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen, der das Schaltungsdesign vereinfacht, da externe Bauteile entfallen.