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PDTD123YT,215 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

PDTD123YT,215 product

PDTD123YT,215

Bipolar (BJT)

NPNRETWiderstandsbestücktSOT23

Der PDTD123YT ist ein 500 mA NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (RET), der sich ideal für platzsparende digitale Schaltanwendungen eignet.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Ansteuerung von IC-Eingängen
  • Automobil- und Industriesegmente

Vermeiden, wenn

  • Lineare Hochleistungsverstärkung
  • Anwendungen mit abweichenden Widerstandsverhältnissen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen
  • Eingangsspannungspegel

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
500 mA
R1
2,2 kΩ
R2
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

AutomobilIndustrieDigitale Schaltung

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für PDTD123YT,215 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 50 V, 500 mA NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (R1=2,2 kΩ, R2=10 kΩ) im SOT23-Gehäuse.